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ALD设备

国凯电子ALD原子层沉积系统

GK-TALD是一款独立可控制的薄膜生长设备,具有工艺参数可控安全功能自锁的特点,能够生长微电子纳米级氧化物如Al2O3ZrO2ZnOHfO2等在太阳能电池OLEDMEMS和DRAM等众多领域有广泛的应用。

工艺程序、工艺参数、温度、气体流量、真空度以及传输管路的清扫均通过软件实现全自动控制。


特点:

*不均匀度低于1%
*优化的13”阳极氧化铝腔体
*小反应腔体容积确保快速的循环时间并提高质量
*最大可支持8”的基片
*500°C基板加热器
*最多支持5路50cc/100cc前驱体源
*快速脉冲气体传输阀
*大面积过滤器用于捕捉并处理未反应的前驱体气体
*高深宽比结构的保形生长
*菜单驱动友好用户界面


应用:
*高K介质
*疏水性涂覆
*钝化层
*微流控应用的保形性涂覆
*燃料电池中诸如催化层的单金属涂覆


技术参数

衬底尺寸和类型

8英寸及以下兼容基片

156 mm x 156 mm 太阳能硅片

3D 复杂表面衬底

粉末与颗粒

多孔,通孔,高深宽比(HAR)样品

工艺温度

50 – 500 °C, 可选更高温度

基片传送选件

手动装载(可增加自动装载)

前驱体

液态、固态、气态、臭氧源

5根独立源管线,最多加载6个前驱体源

对蒸汽压低的前驱体(1mbar~10mbar),用氮气等载气导入前驱体瓶内引出

重量

350kg

外观尺寸

750mm×630mm×1050mm

选件

PICOFLOW扩散增强器,集成椭偏仪,QCM, RGA,N2发生器,尾气处理器,定制设计,手套箱集成(用于惰性气体下装载)

验收标准

标准设备验收标准为 Al2O3 工艺

 

沉积薄膜种类

单 质

Co, Cu, Ta, Ti, W, Ge, Pt, Ru, Ni, Fe

氮化物

TiN, SiN, AlN, TaN, ZrN, HfN, WN

氧化物

TiO2, HfO2, SiO2, ZnO, ZrO2, Al2O3, La2O3, SnO2

其它化合物

GaAs, AlP, InP, GaP, InAs, LaHfxOy, SrTiO3,SrTaO6

  

衬底类型

二维衬底

硅片、氧化铝、玻璃、氧化硅等

柔性衬底

塑料衬底如半结晶热塑性聚合物PETPENPEEK

三维衬底

单通/双通多孔模板、碳纤维等

 


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