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PE-ALD(等离子体增强原子层沉积)

此工艺可取消ALD原子层淀积中的一个步骤,从而进一步缩短生产周期。

PE-ALD过程中,在淀积温度下互不发生反应的互补反应源在同一时间被引入到石英腔内(引入方式、时间和流量大小可参考上述ALD工艺),然后反应源关闭并净化反应室(通入氩气吹洗),接着施加一个直接的等离子脉冲,这个等离子体环境产生高活性自由基并与吸附于衬底的反应物反应形成原子层。关闭等离子可迅速清除活性自由基源,反应室中一直流过的清洁气体将清除过剩自由基和反应副产物。循环周期和引入反应源的相关参数均可以预先设置在系统中,实现自动运行。

 

PE-ALD Precursor 通入石英腔内的脉冲序列如下图所示:除了较高的生长速度和较短的周期时间,PE-ALD薄膜表现出比传统的原子层淀积薄膜更高的密度和更高的击穿电压。该技术已经在多个应用中取得了发展,如DRAM、MIM和eDRAM电介质薄膜。

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